焦易斯-帝克耸近似

编辑:矜持网互动百科 时间:2019-12-12 04:41:44
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焦易斯-帝克耸近似(Joyce-Dixon approximation):这是半导体中载流子浓度与Fermi能级之间的一种近似关系。
对于掺杂浓度很低的非简并半导体,可采用Boltzmann分布函数,求得载流子浓度n和p与Fermi能级Ef之间有简单的指数函数关系:
n = Nc exp[-(Ec-Ef)/kT, p = Nv exp[-(Ef-Ev)/kT。
但是,对于掺杂浓度并非很低、但又不是简并的半导体,则Boltzmann近似并非很好,这时载流子浓度与Fermi能级之间的一个有用的关系就是所谓焦易斯-帝克耸近似的关系式:Ef = Ec + kT[ln(n/Nc)+n/(81/2 Nc)] = Ev + kT[ln(p/Nv)+p/(81/2 Nv)]。
词条标签:
理学